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onsemi FQD4P25TM-WS
| Artikelnummer: | FQD4P25TM-WS |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 250V 3.1A DPAK |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
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- Versandinformationen
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-
onsemi FQD4P25TM-WS Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQD4P25TM-WS.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Vgs (Max) ±30V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-252AA Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.1Ohm @ 1.55A, 10V Verlustleistung (max) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Paket Tape & Reel (TR) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Surface Mount Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 420 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 250 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.1A (Tc) Grundproduktnummer FQD4P25 FQD4P25TM-WS Einzelheiten PDF [English] FQD4P25TM-WS PDF - EN.pdf -
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